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抗輻射單模光纖 (RRF)

為了滿足光纖在輻射環境中特殊的應用環境，長飛公司通過調整光纖玻璃組分和完善工藝技術研制出具有抗輻射特性的單模光纖。此類光纖全面優化了1310nm 和1550nm 窗口的波導特性，具有很低的衰減和色散。

產品應用

航空航天
原子能
醫療
石油
天然氣
科學研究

產品工藝: 長飛光纖采用等離子體激活化學氣相沉積（簡稱PCVD）工藝制造。采用特殊的玻璃組分和后處理工藝，使光纖在
1310nm 和1550nm 窗口具有良好的抗輻射性能。PCVD 工藝制造的抗輻射單模光纖具有精準的折射率剖面，使
光纖具有良好的幾何、衰減和色散性能。

產品特點

低衰減、低色散，滿足通信窗口的工作要求
涂層保護性好、剝離性能優越
精確的幾何參數確保低熔接損耗和高熔接效率
低輻射附加衰耗

規格參數

光纖類型	波長(nm)	條件	RD 1310-G2（HT）	RD SM-G3	RD SM-G3 (YH)	RD SM-G3(HD)
產品編號			RD1311-D	RD1012-A	RD1012-B	RD1012-C
光學性能
衰減 (dB/km)	1310	-	≤0.45	≤0.4	≤0.4	≤0.4
衰減 (dB/km)	1550	-	≤0.3	≤0.3	≤0.3	≤0.3
零色散波長 (nm)	-	-	1287 ~ 1337	1300 ~ 1324	1300 ~ 1324	1300 ~ 1324
零色散斜率 (ps/(nm2·km))	-	-	≤0.1	≤0.091	≤0.091	≤0.091
單根光纖最大值 (ps/√km)	-	-	≤0.2	≤0.2	≤0.2	≤0.2
光纖鏈路值 (M=20，Q=0.01%)(ps/√km)	-	-	≤0.2	≤0.2	≤0.2	≤0.2
光纜截止波長 (λcc)(nm)	-	-	≤1290	≤1260	≤1260	≤1260
模場直徑 (MFD)(μm)	1310	-	7.5 ~ 9.5	8.6 ~ 9.6	8.6 ~ 9.5	8.6 ~ 9.5
模場直徑 (MFD)(μm)	1550	-	8.0 ~ 10.0	9.6 ~ 10.9	9.9 ~ 10.9	9.6 ~ 10.9
幾何性能
包層直徑 (μm)	-	-	125±1.0	125±1.0	124.5±0.4	125±1.0
包層不圓度 (%)	-	-	≤0.7	≤1.0	≤1.0	≤1.0
涂層直徑 (μm)	-	-	245.0±10.0	245.0±10.0	245.0±5.0	245.0±10.0
涂層/包層同心度誤差 (μm)	-	-	≤12.0	≤12.0	≤8.0	≤12.0
涂層不圓度 (%)	-	-	≤6.0	≤6.0	≤6.0	≤6.0
芯/包層同心度誤差 (μm)	-	-	≤0.6	≤1.0	≤0.6	≤1.0
翹曲度(半徑) (m)	-	-	≥2.0	≥2.0	≥2.0	≥2.0
環境特性
溫度-濕度循環附加衰減 (dB/km)	1310, 1550	-10℃ 到 85℃，相對濕度98%	≤0.1	≤0.1	≤0.1	≤0.1
溫度附加衰減 (dB/km)		-65℃ 到 85℃	≤0.1	≤0.1	≤0.1	≤0.1
浸水附加衰減 (dB/km)		23℃，30天	≤0.1	≤0.1	≤0.1	≤0.1
濕熱附加衰減 (dB/km)		85℃，相對濕度85%，30 天	≤0.1	≤0.1	≤0.1	≤0.1
干熱老化 (dB/km)		85℃，30 天	≤0.1	≤0.1	≤0.1	≤0.1
溫沖測試 (dB/km)		-70℃ 到 125℃, ≥40℃/分鐘, 循環5次	-	-	≤0.3	-
儲存溫度測試 (dB/km)		-70℃，120小時；125℃ 120小時	-	-	≤0.3	-
溫循測試(dB/km)		70℃ 到 125℃, 2~5℃/分鐘, 循環5次	-	-	≤0.3	-
宏彎性能
彎曲半徑	-	圈數	-	-	-	?
30mm	1310	100	-	≤0.1	≤0.1	≤0.1
30mm	1550	100	-	≤0.5	≤0.5	≤0.5
機械性能
篩選張力 (kpsi)	-	離線	≥100	≥100	≥100	≥100
涂層剝離力 (N)	-	平均值	1.0 ~ 5.0	1.0 ~ 5.0	1.0 ~ 5.0	1.0 ~ 5.0
涂層剝離力 (N)	-	峰值	1.3 ~ 8.9	1.3 ~ 8.9	1.3 ~ 8.9	1.3 ~ 8.9
動態疲勞參數 (nd)	-	-	≥20	≥20	≥20	≥20
輻照性能
? 根據 TIA/EIA 455-64 標準測試 (dB/100m)	1310	總劑量 50Krad，劑量率0.1rad/s(25℃）連續輻照條件下附加衰減	-	≤0.3	≤0.3	≤0.3
	1310, 1550	總劑量2000Gy，劑量率0.5Gy/s(25℃）連續輻照條件下附加衰減	≤0.9	≤0.8	≤0.8	≤0.5
	1310	總劑量 200000Gy，劑量率0.5Gy/s(25℃）連續輻照條件下附加衰減	≤2.0	≤1.5	≤1.5	≤1.0
	1550	總劑量 200000Gy，劑量率0.5Gy/s(25℃）連續輻照條件下附加衰減	≤2.5	≤2.0	≤2.0	≤1.5
	1310	總劑量 1MGy，劑量率1.25Gy/s(25℃）連續輻照條件下附加衰減	-	-	-	~ 1.2
	1550	總劑量 1MGy，劑量率1.25Gy/s(25℃）連續輻照條件下附加衰減	-	-	-	~ 1.8

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